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MOSFET

正芯电子主要产品有LOW VF肖特基、碳化硅、氮化镓、FRED超快恢复二极管、高压双向触发二极管、大功率稳压二极管、可控硅、TVS瞬态抑制管、合金软桥。各种封装包括:D0系列、17-02。贴片系列有SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、S8M、TO-277B、ABS,、MSB、DB、HBS、YBS、PDFN5*6-8L、TO-251、T0-252、T0-220、T0-262TO-263、TO-247。整流桥GBP、KBP、D3K、GBU、GBJ、KBL、系列等。产品广泛用于交通、通讯、电脑、家用电器、玩具等数码电子产品等多个领域。多种热销方案总有一款适合您
封装：
  • MBS
  • ABS
  • DB
  • DBS
  • YBS
  • KBP
  • KBL
  • KBU
  • GBP
  • D3K
  • GBL
  • GBU
  • 2KBJ
  • 4KBJ
  • 6KBJ
  • KBPC1
  • KBPC6
  • KBPC8
  • KBPC
  • KBPC-W
最大反向峰值电压
VRM (V)：
  • 600
  • 800
  • 1000
最大正向电流
lo(A)：
  • 0.8
  • 1.0
  • 2.0
  • 1.5
  • 2.2
  • 3.0
  • 4.0
  • 6.0
  • 8.0
  • 10.0
  • 15.0
  • 25.0
  • 20.0
  • 35.0
  • 50.0
最大正向浪涌电流
IFSM(A)：
  • 30
  • 35
  • 45
  • 60
  • 75
  • 90
  • 110
  • 120
  • 135
  • 150
  • 170
  • 220
  • 400
  • 50
  • 65
  • 175
  • 200
  • 300
  • 250
  • 280
  • 320
  • 420
  • 450
  • 360
  • 180
  • 500
最大正向压降
Rated lo(A)：
  • 0.4
  • 0.5
  • 1.0
  • 0.7
  • 1.1
  • 1.5
  • 2.0
  • 3.0
  • 4.0
  • 5.0
  • 7.5
  • 12.5
  • 10.0
  • 17.5
  • 25.0
最大正向压降
VF(V)：
  • 1.0
  • 0.95
  • 1.05
  • 1.1
  • 0.92
最大反向漏电流
IR@25°CIR(uA)：
  • 5
  • 10
  • 5.0
最大反向漏电流
IR@100°CIR(uA)：
  • 100
  • 500
典型热阻
ReJA/ReJC(C/W)：
  • 76
  • 62.5
  • 68
  • 55
  • 30
  • 20
  • 21
  • 19
  • 7.5
  • 5.0
  • 4.8
  • 4.7
  • 3.0
  • 50
  • 47
  • 26
  • 25
  • 23
  • 22
  • 35
  • 17
  • 2.2
  • 1.6
  • 1.3
  • 3.4
工作结温
Tj (C)：
  • -55~+150

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